İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

ŞEREF KALEM

Profesör

İstanbul Atlas Üniversitesi Mühendislik Ve Doğa Bilimleri Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Mühendislik Temel Alanı
  2. Yan Dal Elektrik-Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 34 YÖKSİS 34 · OpenAlex 0 Toplam atıf 705 h-indeks 16 · OpenAlex Q1 makale 22 Scopus · WoS Q1 20 En iyi alan sırası #198 / 2.948 Yan dal · üst %6,7

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 32
h-indeks 16 Türkiye yüzdelik dilimi: 95 Üniversitesinde h-indekse göre 21. / 378
i10-indeks
21
Toplam atıf
705
Türkiye’de üst %7,6
Makale başına
22,0
FWCI
1,65
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
1
Dünyada üst %10
4

En çok atıf alan makaleleri

  1. Growth of InSb and InAs1-xSbx on GaAs by molecular beam epitaxy 1988 dünyada üst %1 110 atıf
  2. Infrared photoluminescence of InAs epilayers grown on GaAs and Si substrates 1989 53 atıf
  3. Comparison of the top-down and bottom-up approach to fabricate nanowire-based silicon/germanium heterostructures 2010 51 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 17.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %11
Üst %104
Ort. · n 38 %61,8
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 33

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 34

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

34makale

Yayını olan dergiler

19 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q122 Q25 Q31 Q42
WoS (JCR)
Q120 Q26 Q35 Q40
TR Index
1makale

Makale listesi

  1. 2023 Time-resolved radiative recombination in black silicon Springer Science and Business Media LLC DOI 10.1007/s10854-023-10127-0 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 41.6%
  2. 2021 Structural properties of Ge-Sb-Te alloys Solid-State Electronics DOI 10.1016/j.sse.2021.108101 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS OpenAlex 39.9%
  3. 2021 Si nanopillar arrays as possible electronic device platforms Solid-State Electronics DOI 10.1016/j.sse.2021.108102 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 38.3%
  4. 2020 1320 nm Light Source From Deuterium Treated Silicon IEEE Open Journal of Nanotechnology DOI 10.1109/OJNANO.2020.3025167 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 7.5%
  5. 2020 1320 nm light source from deuterium treated silicon IEEE Open Journal Nanotechnology YÖKSİS SJR Q3 JCR Q3
  6. 2013 Near-IR photoluminescence from Si/Ge nanowire-grown silicon wafers: effect of HF treatment Applied Physics A DOI 10.1007/s00339-013-7783-3 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 64.0%
  7. 2013 Ellipsometry studies of Si/Ge superlattices with embedded Ge dots Applied Physics A DOI 10.1007/s00339-013-7781-5 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 8.0%
  8. 2013 Defect studies in strain-relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloys TURKISH JOURNAL OF PHYSICS DOI 10.3906/fiz-1212-1 YÖKSİS TR Index SJR Q4 JCR Q3 OpenAlex 8.2%
  9. 2011 Black silicon with high density and high aspect ratio nanowhiskers Nanotechnology DOI 10.1088/0957-4484/22/23/235307 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 83.9%
  10. 2010 Comparison of the top-down and bottom-up approach to fabricate nanowire-based silicon/germanium heterostructures Thin Solid Films DOI 10.1016/j.tsf.2009.08.021 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 86.5%
  11. 2010 Formation of germanates on germanium by chemical vapor treatment Thin Solid Films DOI 10.1016/j.tsf.2009.09.137 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 62.9%
  12. 2010 Photoluminescence from silicon nanoparticles embedded in ammonium silicon hexafluoride Nanotechnology DOI 10.1088/0957-4484/21/43/435701 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 50.2%
  13. 2009 Transformation of germanium to fluogermanates Applied Physics A DOI 10.1007/s00339-009-5411-z YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 64.2%
  14. 2009 Controlled thinning and surface smoothening of silicon nanopillars Nanotechnology DOI 10.1088/0957-4484/20/44/445303 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 81.0%
  15. 2006 Optical characterization of dislocation free Ge and GeOI wafers Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2006.08.035 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 77.7%
  16. 2004 Synthesis of ammonium silicon fluoride cryptocrystals on silicon by dry etching Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2004.05.008 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 58.4%
  17. 2000 Possibility of fabricating light-emitting porous silicon from gas phase etchants Optics Express DOI 10.1364/OE.6.000007 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 15.4%
  18. 1995 Optical and structural investigation of stain\u2010etched silicon Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.114429 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 73.2%
  19. 1991 Hydrogenation of InAs on GaAs heterostructures Journal of Applied Physics DOI 10.1063/1.349558 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 71.1%
  20. 1990 Transport properties of InAs epilayers grown by molecular beam epitaxy Semiconductor Science and Technology DOI 10.1088/0268-1242/5/3S/044 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 63.6%

← Akademisyenlere dön