İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

ŞÜKRÜ ARDALI

Doktor Öğretim Üyesi

Eskişehir Teknik Üniversitesi Porsuk Meslek Yüksekokulu Elektrik Ve Enerji Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 35 YÖKSİS 35 · OpenAlex 0 Toplam atıf 299 h-indeks 10 · OpenAlex Q1 makale 13 Scopus · WoS Q1 4 En iyi alan sırası #2.344 / 11.969 Ana dal · üst %19,6 Ortak yazar 55 9 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 30 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 2
h-indeks 10 Türkiye yüzdelik dilimi: 84 Üniversitesinde h-indekse göre 100. / 578
i10-indeks
10
Toplam atıf
299
Türkiye’de üst %19
Makale başına
9,3
FWCI
0,94
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
2

En çok atıf alan makaleleri

  1. Effective mass of electron in monolayer graphene: Electron-phonon interaction 2013 dünyada üst %10 77 atıf
  2. Determination of the LO phonon energy by using electronic and optical methods in AlGaN/GaN 2012 19 atıf
  3. Determination of scattering mechanisms in AlInGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate 2021 18 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 2 makale (0 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 10.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 2

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
55
akaturk profili olan
18
Ulusal kurum
9
Ortak yazarlı eser
%100

Ortak çalıştığı akademisyenler 18

  1. ENGİN TIRAŞ Profesör · Eskişehir Teknik Üniversitesi aynı üniversite 35
  2. SEFER BORA LİŞESİVDİN Profesör · Gazi Üniversitesi 12
  3. EKMEL ÖZBAY Profesör · İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi 10
  4. AYŞE EROL Profesör · İstanbul Üniversitesi 6
  5. MUSTAFA GÜNEŞ Profesör · Adana Alparslan Türkeş Bilim Ve Teknoloji Üniversitesi 5
  6. BURCU ARPAPAY Doktor Öğretim Üyesi · Eskişehir Teknik Üniversitesi aynı üniversite 3
  7. SELMAN MUTLU Doktor Öğretim Üyesi · İstanbul Üniversitesi 3
  8. POLAT NARİN Öğretim Görevlisi (uygulamalı Birim) · Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi 2
  9. UĞUR SERİNCAN Profesör · Orta Doğu Teknik Üniversitesi 2
  10. ÖMER DÖNMEZ Profesör · İstanbul Üniversitesi 2
Tümünü göster (18)
  1. BEYZA LİŞESİVDİN Profesör · Gazi Üniversitesi 1
  2. CEBRAİL GÜMÜŞ Profesör · Çukurova Üniversitesi 1
  3. ERMAN ÇOKDUYGULULAR Doktor Öğretim Üyesi · İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa 1
  4. FERHAT NUTKU Profesör · İstanbul Üniversitesi 1
  5. HAKAN ASAF FIRAT Araştırma Görevlisi · İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü 1
  6. MURAT TANIŞLI Profesör · Eskişehir Teknik Üniversitesi aynı üniversite 1
  7. TÜLAY TIRAŞ Öğretim Görevlisi (uygulamalı Birim) · Eskişehir Teknik Üniversitesi aynı üniversite 1
  8. ÇAĞLAR ÇETİNKAYA Doçent · İstanbul Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 9 kurum

Kurum içi35 ortak eser · Eskişehir Teknik Üniversitesi

  1. Gazi Üniversitesi 12 eser · 2 akademisyen
  2. İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi 10 eser · 1 akademisyen
  3. İstanbul Üniversitesi 8 eser · 5 akademisyen
  4. Adana Alparslan Türkeş Bilim Ve Teknoloji Üniversitesi 5 eser · 1 akademisyen
  5. Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  6. Orta Doğu Teknik Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  7. Çukurova Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
  8. İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa 1 eser · 1 akademisyen
  9. İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 37

ENGİN ARSLAN 7Feyza SÖNMEZ 7Konstantin Sergeevich Zhuravlev 7Naci Balkan 7TİMUR MALİN 7Vladimir Mansurov 7Gökhan Atmaca 5Alexandros Georgakilas 4Eleftherios Iliopoulos 4Ozlem Celik 4Adebowale Olufunso Ajagunna 3Janne Puustinen 3Mircea Guina 3Semih Cakmakyapan 3E. Janzen 2ECE KUTLU 2Joonas Hilska 2MUSTAFA AYDIN 2Ozgur Kazar 2SAFFETTİN YILDIRIM 2ul Hassan Jawad 2A. ArnoultAyse Aygul ErgurhanB. RoyallC. FontaineDalphine LagardeGulay ErtasH. M. KhalilHelene CarrereMCetin ArikanNeval A. CinelOnur ŞENELS TaganovS. MazzucatoSerkan ButunV. -M. KorpijarviXavier Marie

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 0 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %102
Ort. · n 30 %60,1
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 33

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 30

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

35makale

Yayını olan dergiler

22 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q113 Q215 Q35 Q40
WoS (JCR)
Q14 Q213 Q312 Q41
TR Index
0makale

Makale listesi

  1. 2026 Temperature controlled phase transition and characterization of Cu2O and CuO thin films grown at different growth temperatures via mist CVD Applied Physics A DOI 10.1007/s00339-026-09555-6 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.8%
  2. 2025 Design and realization of XOR, OR, and NAND light logic gates using GaAs heterostructure Applied Physics A DOI 10.1007/s00339-024-08213-z YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 58.6%
  3. 2024 Light Logic Gates with GaAs‐Based Structures physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters DOI 10.1002/pssr.202470023 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 7.3%
  4. 2024 The comprehensive investigation of barrier layers on power loss mechanisms in AlGaN/GaN HEMT structures Materials Science and Engineering: B DOI 10.1016/j.mseb.2023.117075 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 68.1%
  5. 2022 The investigation of photoluminescence properties in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells structures with varying well number Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2022.413703 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 62.4%
  6. 2021 Integer quantum Hall effect measurement analysis in Ga0.68In0.32N0.017As/GaAs quantum wells with various annealing time Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2021.413305 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 62.7%
  7. 2021 The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2020.105449 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 78.0%
  8. 2021 The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures Journal of Physics: Condensed Matter DOI 10.1088/1361-648X/abf8d2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 67.9%
  9. 2021 Determination of scattering mechanisms in AlInGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate Journal of Alloys and Compounds DOI 10.1016/j.jallcom.2021.158895 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 82.1%
  10. 2021 Effect of annealing process on hot-electron energy relaxation rates in n-type modulation-doped Ga0.68In0.32N0.017As/GaAs quantum wells via deformation potential and piezoelectric scatterings Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures DOI 10.1016/j.physe.2020.114344 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 56.5%
  11. 2021 Substrate effects on electrical parameters of Dirac fermions in graphene Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2021.105936 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 3.6%
  12. 2020 Electronic transport in n-type modulation-doped AlGaAs/GaAsBi quantum well structures: influence of Bi and thermal annealing on electron effective mass and electron mobility Semiconductor Science and Technology DOI 10.1088/1361-6641/ab5d8d YÖKSİS SJR Q1 JCR Q3 OpenAlex 74.5%
  13. 2020 Power loss mechanisms in n-type modulation-doped AlGaAs/GaAsBi quantum well heterostructures Semiconductor Science and Technology DOI 10.1088/1361-6641/ab94d9 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q3 OpenAlex 63.4%
  14. 2017 The transport properties of Dirac fermions in chemical vapour-deposited single-layer graphene PHILOSOPHICAL MAGAZINE DOI 10.1080/14786435.2016.1247994 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 62.7%
  15. 2016 Power-loss mechanisms in surface passivated AlGaN/AlN/GaN heterojunctions 2015 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR) DOI 10.1109/CLEOPR.2015.7376169 YÖKSİS OpenAlex 19.2%
  16. 2016 Complementary and alternative technique for the determination of electron effective mass: quantum Hall effect OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4
  17. 2016 Energy relaxation of hot electrons by LO phonon emission in AlGaN/AlN/GaN heterostructure with in situ Si3N4 passivation JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS DOI 10.1016/j.jallcom.2015.11.056 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 58.3%
  18. 2016 Scattering analysis of 2DEG mobility in undoped and doped AlGaN/AlN/GaN heterostructures with an in situ Si3N4 passivation layer SOLID-STATE ELECTRONICS DOI 10.1016/j.sse.2016.01.006 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 63.9%
  19. 2015 The variation of temperature-dependent carrier concentration and mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure with SiN passivation PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS DOI 10.1002/pssb.201552135 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 79.7%
  20. 2014 SiC Substrate Effects on Electron Transport in the Epitaxial Graphene Layer ELECTRONIC MATERIALS LETTERS DOI 10.1007/s13391-013-3159-2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 60.1%

← Akademisyenlere dön