İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

GÖKHAN UTLU

Doçent

Ege Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 19 YÖKSİS 19 · OpenAlex 0 Toplam atıf 173 h-indeks 7 · OpenAlex Q1 makale 6 Scopus · WoS Q1 5 En iyi alan sırası #5.447 / 11.969 Ana dal · üst %45,5 Ortak yazar 17 4 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 13 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 1
h-indeks 7 Türkiye yüzdelik dilimi: 67 Üniversitesinde h-indekse göre 932. / 2.048
i10-indeks
7
Toplam atıf
173
Türkiye’de üst %30
Makale başına
12,4
FWCI
0,67
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
1

En çok atıf alan makaleleri

  1. The effects of grain boundary scattering on the electrical resistivity of single layered silver and double layered silver chromium thin films 2007 38 atıf
  2. Mechanisms behind slow photoresponse character of Pulsed Electron Deposited ZnO thin films 2020 31 atıf
  3. A hyperbolic summation method to focus B scan ground penetrating radar images An experimental study with a stepped frequency system 2007 dünyada üst %10 26 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 1 makale (26 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 7.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 1

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
17
akaturk profili olan
7
Ulusal kurum
4
Ortak yazarlı eser
%89

Ortak çalıştığı akademisyenler 7

  1. ALPER ÇETİNEL Doçent · Ege Üniversitesi aynı üniversite 4
  2. CEM ÇELEBİ Profesör · İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü 3
  3. AYTAÇ GÜRHAN GÖKÇE Profesör · Aydın Adnan Menderes Üniversitesi 2
  4. MUHİTTİN AYGÜN Profesör · Dokuz Eylül Üniversitesi 2
  5. SEVİM AKYÜZ Profesör · İstanbul Kültür Üniversitesi 2
  6. ENVER TARHAN Doçent · İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü 1
  7. MELEK DUYGU BİLGE Doçent · Ege Üniversitesi aynı üniversite 1

Ulusal işbirliği 4 kurum

Kurum içi5 ortak eser · Ege Üniversitesi

  1. İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü 4 eser · 2 akademisyen
  2. Aydın Adnan Menderes Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  3. Dokuz Eylül Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  4. İstanbul Kültür Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 10

NURCAN ARTUNÇ 7Mehmet Özdoğan 4SÜHEYLA ÖZBEY 2Şahin Kınal 2Gülşah AydemirGündoğdu SahinSERAP YİĞENSaim SelviSatılmış BudakSüleyman Tari

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 0 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %100
Ort. · n 22 %56,2
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 25

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 24

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

19makale

Yayını olan dergiler

15 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q16 Q27 Q31 Q43
WoS (JCR)
Q15 Q23 Q35 Q43
TR Index
0makale

Makale listesi

  1. 2023 Effect of deposition time on the structural and electrical properties of electrodeposited PSi/Cu2O/ZnO heterojunction Elsevier BV DOI 10.1016/j.cplett.2023.140449 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 31.9%
  2. 2023 Preparation and Characterization of Electrochemically Deposited Cu2O/ZnO Heterojunctions on Porous Silicon ACS OMEGA DOI 10.1021/acsomega.3c01438 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 66.0%
  3. 2020 Mechanisms behind slow photoresponse character of Pulsed Electron Deposited ZnO thin films Materials Science in Semiconductor Processing DOI https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S1369800119315859 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1
  4. 2020 Mechanisms behind slow photoresponse character of Pulsed Electron Deposited ZnO thin films MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING DOI 10.1016/j.mssp.2019.104863 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 65.5%
  5. 2019 Growth and characterization of ZnO nanostructures on porous silicon substrates: Effect of solution temperature Chemical Physics Letters DOI 10.1016/j.cplett.2019.136827 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 64.5%
  6. 2019 Structural Investigation of ZnO Thin Films Obtained by Annealing after Thermal Evaporation Sakarya University Journal of Science DOI http://dergipark.gov.tr/doi/10.16984/saufenbilder.450190 YÖKSİS SJR Q4
  7. 2019 The comparison of transient photocurrent spectroscopy measurements of Pulsed Electron Deposited ZnO thin film for air and vacuum ambient conditions THIN SOLID FILMS DOI 10.1016/j.tsf.2019.04.030 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 65.1%
  8. 2019 Thickness and Temperature Dependence of ZnO/Glass Thin Film Systems Obtained by Thermal Evaporation Acta Physica Polonica A DOI http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/136/app136z3p08.pdf YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4 OpenAlex 7.9%
  9. 2018 Effect of Annealing on ZnO Thin Films Deposited by Thermal Evaporation on Si (100) Substrates International Journal of Scientific and Technological Research DOI 10.7176/JSTR YÖKSİS
  10. 2017 THE EFFECT OF THICKNESS OF SILVER THIN FILM ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF POROUS SILICON Surface Review and Letters DOI 10.1142/S0218625X17500743 4 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q4 JCR Q4 OpenAlex 54.9%
  11. 2014 The effects of grain boundary scattering on electrical resistivity of Ag/NiSi silicide films formed on silicon substrate at 500°C by RTA Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2014.02.145 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 51.1%
  12. 2014 The calculation of the reflection coefficients by analyzing resistivity data of the Ni–Si silicide films formed at 850°C by RTA Microelectronic Engineering DOI 10.1016/j.mee.2013.07.019 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 52.5%
  13. 2012 Temperature and thickness dependence of the grain boundary scattering in the Ni–Si silicide films formed on silicon substrate at 500°C by RTA Materials Chemistry and Physics DOI https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S025405841100962X YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2
  14. 2011 INTERESTING RESISTIVITY BEHAVIOR OF THEAg-Ni-Si SILICIDE FILMS FORMED AT 850°C BY RAPID THERMAL ANNEALING OF THE Ag-Ni/Si FILMS International Journal of Modern Physics B DOI 10.1142/S0217979211101892 YÖKSİS SJR Q4 JCR Q4 OpenAlex 55.0%
  15. 2010 Structural and electrical characterization of the nickel silicide films formed at 850°C by rapid thermal annealing of the Ni/Si(100) films Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2010.03.062 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 82.7%
  16. 2010 Structural Investigation of the Ag Ni Si Silicide Films Formed at 850C by RTA on Si 100 Substrates BALKAN PHYSICS LETTERS YÖKSİS
  17. 2007 The effects of grain boundary scattering on the electrical resistivity of single layered silver and double layered silver chromium thin films Surface and Coatings Technology DOI 10.1016/j.surfcoat.2006.03.068 2 YÖKSİS kaydı YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 64.8%
  18. 2005 The two-dimensional coordination polymer poly[[bis(3-methylpyridine)cadmium(II)]-tetra-μ-cyano-nickel(II)] Acta Crystallographica Section C Crystal Structure Communications DOI http://scripts.iucr.org/cgi-bin/paper?S0108270105000636 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 58.3%
  19. 2005 The two dimensional coordination polymer poly bis 3 methylpyridine cadmium II tetra cyano nickel II Acta Crystallographica Section C Crystal Structure Communications DOI 10.1107/S0108270105000636 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 58.5%

← Akademisyenlere dön