İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

ESRA EVCİN BAYDİLLİ

Doçent

Hakkari Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Mühendislik Temel Alanı
  2. Yan Dal Elektrik-Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 15 YÖKSİS 15 · OpenAlex 0 Toplam atıf 204 h-indeks 8 · OpenAlex Q1 makale 5 Scopus · WoS Q1 4 En iyi alan sırası #807 / 2.948 Yan dal · üst %27,4 Ortak yazar 12 5 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 15
h-indeks 8 Türkiye yüzdelik dilimi: 78 Üniversitesinde h-indekse göre 11. / 249
i10-indeks
7
Toplam atıf
204
Türkiye’de üst %25
Makale başına
13,6
FWCI
2,05
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
4

En çok atıf alan makaleleri

  1. Evaluation of gamma-irradiation effects on the electrical properties of Al/(ZnO-PVA)/p-Si type Schottky diodes using current-voltage measurements 2021 dünyada üst %10 52 atıf
  2. Investigation of gamma-irradiation effects on electrical characteristics of Al/(ZnO–PVA)/p-Si Schottky diodes using capacitance and conductance measurements 2020 27 atıf
  3. Detection of current transport mechanisms for graphene-doped-PVA interlayered metal/semiconductor structures 2020 25 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 8.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
12
akaturk profili olan
8
Ulusal kurum
5
Ortak yazarlı eser
%80

Ortak çalıştığı akademisyenler 8

  1. AHMET KAYMAZ Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 11
  2. HABİBE TECİMER Profesör · Karabük Üniversitesi 6
  3. HAZİRET DURMUŞ Profesör · Selçuk Üniversitesi 3
  4. HÜSEYİN TECİMER Profesör · Karabük Üniversitesi 2
  5. ERDOĞAN ÖZEL Doktor Öğretim Üyesi · Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi 1
  6. SERHAT ORKUN TAN Profesör · Karabük Üniversitesi 1
  7. YASHAR AZIZIAN KALANDARAGH Doçent · Gazi Üniversitesi 1
  8. YUNUS EMRE KARASU Doktor Öğretim Üyesi · Karabük Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 5 kurum

  1. Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 11 eser · 1 akademisyen
  2. Karabük Üniversitesi 7 eser · 4 akademisyen
  3. Selçuk Üniversitesi 3 eser · 1 akademisyen
  4. Gazi Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
  5. Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 4

ŞEMSETTİN ALTINDAL 11Ahmet BARANRengin Beruj BOZKURTİzzettin Güler

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %104
Ort. · n 15 %76,5
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 14

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 14

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

15makale

Yayını olan dergiler

12 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q15 Q28 Q31 Q40
WoS (JCR)
Q14 Q24 Q35 Q41
TR Index
1makale

Makale listesi

  1. 2026 The role of Cu-doping in DLC interlayers on the electrical parameters of MIS-type Schottky devices: A Capacitance-Conductance analysis Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2026.166805 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 86.0%
  2. 2026 Comprehensive dielectric analysis of Schottky devices with Cu-doped DLC interlayer: Temperature effects and polarization mechanisms Materials Science and Engineering: B DOI 10.1016/j.mseb.2026.119238 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.5%
  3. 2025 Dielectric properties and polarization mechanisms of the DLC-interlayered Schottky structures under low-moderate and high-temperatures Materials Science and Engineering: B DOI 10.1016/j.mseb.2025.118406 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 95.1%
  4. 2025 Negative capacitance and negative dielectric behavior of MIS device with Rhenium-Type Schottky contacts Solid-State Electronics DOI 10.1016/j.sse.2025.109204 YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4 OpenAlex 83.7%
  5. 2024 The Role of Co/Zn-Doped Organic Interlayer on the Operating Performance of Schottky Devices as an Ionizing Radiation Sensor IEEE Sensors Journal DOI 10.1109/JSEN.2024.3387738 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 77.3%
  6. 2024 The effect of Cu-doping to the DLC interlayer on the temperature dependent current-conduction mechanisms and barrier shape of the Schottky devices Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2024.108828 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 69.9%
  7. 2024 Overview of the irradiation-dependent behaviour of the negative dielectric properties of GaAs-based MIS devices Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2024.111877 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 85.5%
  8. 2023 Investigation of the dielectric properties of Au/Bi4Ti3O12-SiO2/n-Si (MFIS) type structures depending on gamma-irradiation Microelectronics Reliability DOI 10.1016/j.microrel.2022.114868 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 50.5%
  9. 2023 Determination of temperature sensitivity and current-transport mechanisms of the GaAs-based MS contact Materials Today Communications DOI 10.1016/j.mtcomm.2023.106380 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 92.7%
  10. 2023 The Comparison of the Temperature Susceptibility of the Serial Resistance Effect of Au/n-GaAs Type M/S Structures Gazi University Journal of Science Part A: Engineering and Innovation DOI 10.54287/gujsa.1206972 YÖKSİS TR Index OpenAlex 2.5%
  11. 2021 Evaluation of gamma-irradiation effects on the electrical properties of Al/(ZnO-PVA)/p-Si type Schottky diodes using current-voltage measurements Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2021.109430 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.0%
  12. 2020 Detection of current transport mechanisms for graphene-doped-PVA interlayered metal/semiconductor structures Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2020.412457 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 89.7%
  13. 2020 On the Multi-parallel Diodes Model in Au/PVA/n-GaAs Schottky Diodes and Investigation of Conduction Mechanisms (CMs) in a Temperature Range of 80–360 K Journal of Electronic Materials DOI 10.1007/s11664-020-08473-4 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 78.6%
  14. 2020 The determination of the temperature and voltage dependence of the main device parameters of Au/7%Gr-doped PVA/n-GaAs-type Schottky Diode (SD) Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-020-03799-5 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 65.6%
  15. 2020 Investigation of gamma-irradiation effects on electrical characteristics of Al/(ZnO–PVA)/p-Si Schottky diodes using capacitance and conductance measurements Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-020-03370-2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 82.6%

← Akademisyenlere dön